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Panjit International Inc. PJP7NA65_T0_00001
| Artikelnummer: | PJP7NA65_T0_00001 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | PANJIT |
| Teil der Beschreibung.: | 650V N-CHANNEL MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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Panjit International Inc. PJP7NA65_T0_00001 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments PJP7NA65_T0_00001.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.5A, 10V Verlustleistung (max) 145W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 754 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) -
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