SI2304DS,215
Nexperia USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | SI2304DS,215 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Nexperia |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-236AB |
Serie | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 500mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 830mW (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Tc) |
SI2304DS,215 Einzelheiten PDF [English] | SI2304DS,215 PDF - EN.pdf |
SI2305-1H Silicon
VISHAY SOT-523
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
SI2304DS NXP
VISHAY SOT-23
VISHAY SOT-163
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
VISHAY SOT-23
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI2304DS,215Nexperia USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|