PSMN2R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | PSMN2R0-30YLDX |
---|---|
Hersteller / Marke: | Nexperia |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.50 |
10+ | $1.34 |
100+ | $1.0449 |
500+ | $0.8632 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | LFPAK56, Power-SO8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (max) | 142W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | SC-100, SOT-669 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2969 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | PSMN2R0 |
PSMN2R0-30YLDX Einzelheiten PDF [English] | PSMN2R0-30YLDX PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Nexperia SOT669
PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
NEXPERIA/ New
PSMN2R0-30PL NXP
NEXPERIA SOT669
PSMN2R0-30YLE NXP
ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
PSMN2R0-60 - N-CHANNEL 60V STAND
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
PSMN2R0-60 NXP
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
NXP 2017+RoHS
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
PSMN2R0-30YL NXP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() PSMN2R0-30YLDXNexperia USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|