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Anschlüsse, Verbindungen
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Nexperia USA Inc. PMGD280UN,115
| Artikelnummer: | PMGD280UN,115 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Nexperia |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 10+ | $0.33 |
| 100+ | $0.2055 |
| 500+ | $0.1406 |
| 1000+ | $0.1082 |
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-
Nexperia USA Inc. PMGD280UN,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments PMGD280UN,115.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 6-TSSOP Serie TrenchMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 200mA, 4.5V Leistung - max 400mW Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.89nC @ 4.5V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 870mA Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer PMGD280 PMGD280UN,115 Einzelheiten PDF [English] PMGD280UN,115 PDF - EN.pdf -
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