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Nexperia USA Inc. PHK31NQ03LT,518
| Artikelnummer: | PHK31NQ03LT,518 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Nexperia |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 30.4A 8SO |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Nexperia USA Inc. PHK31NQ03LT,518 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments PHK31NQ03LT,518.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie TrenchMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 25A, 10V Verlustleistung (max) 6.9W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4235 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30.4A (Tc) PHK31NQ03LT,518 Einzelheiten PDF [English] PHK31NQ03LT,518 PDF - EN.pdf -
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