PEMD12,315
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Nexperia USA Inc. PEMD12,315
| Artikelnummer: | PEMD12,315 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Nexperia |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Nexperia USA Inc. PEMD12,315 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments PEMD12,315.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SOT-666 Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Widerstand - Basis (R1) 47kOhms Leistung - max 300mW Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang - DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Grundproduktnummer PEMD12 PEMD12,315 Einzelheiten PDF [English] PEMD12,315 PDF - EN.pdf -
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