MRF6VP11KHR6
NXP USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | MRF6VP11KHR6 |
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Hersteller / Marke: | Freescale / NXP Semiconductors |
Teil der Beschreibung.: | FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 50 V |
Spannung - Nennwert | 110 V |
Technologie | LDMOS |
Supplier Device-Gehäuse | NI-1230 |
Serie | - |
Leistung | 1000W |
Verpackung / Gehäuse | NI-1230 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Rauschmaß | - |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Gewinnen | 26dB |
Frequenz | 130MHz |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
Strom - Test | 150 mA |
Konfiguration | Dual |
Grundproduktnummer | MRF6 |
MRF6VP11KHR6 Einzelheiten PDF [English] | MRF6VP11KHR6 PDF - EN.pdf |
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H
FET RF 110V 450MHZ TO-272-4
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
LATERAL N CHANNEL BROADBAND RF ,
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MRF6VP11K - Lateral N-Channel Br
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230
FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230
FET RF 110V 450MHZ TO-270-4
FET RF 110V 450MHZ TO-270-4
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H
FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MRF6VP11KHR6NXP USA Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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