NVD5890NLT4G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NVD5890NLT4G |
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Hersteller / Marke: | onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 4W (Ta), 107W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4760 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 24A (Ta), 123A (Tc) |
Grundproduktnummer | NVD589 |
NVD5890NLT4G Einzelheiten PDF [English] | NVD5890NLT4G PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
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ON TO-252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NVD5890NLT4Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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