Name: Renesas Electronics America Inc NP90N055VDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America Inc
SKU: NP90N055VDG-E1-AY
Price: 1.76 USD
Availability: InStock
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Renesas Electronics America Inc NP90N055VDG-E1-AY

Artikelnummer:

NP90N055VDG-E1-AY

Hersteller / Marke:

Renesas Electronics America Inc

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 55V 90A TO252

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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~~Renesas Electronics America Inc NP90N055VDG-E1-AY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NP90N055VDG-E1-AY.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-252
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 45A, 10V
Verlustleistung (max)	1.2W (Ta), 105W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	90A (Tc)
NP90N055VDG-E1-AY Einzelheiten PDF [English]	NP90N055VDG-E1-AY PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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