NDH8502P
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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468+ | $0.64 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2.2A, 10V |
Leistung - max | 800mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | NDH8502 |
NDH8502P Einzelheiten PDF [English] | NDH8502P PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NDH8502PFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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