NDB6030L
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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175+ | $1.72 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 26A, 10V |
Verlustleistung (max) | 75W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 52A (Tc) |
NDB6030L Einzelheiten PDF [English] | NDB6030L PDF - EN.pdf |
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MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN
NS TO-263
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
NS TO-263
FAIRCHILD TO-263
30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL,
MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NDB6030LFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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