JANTXV1N5416US
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | JANTXV1N5416US |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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121+ | $12.96 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 9 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | D-5B |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 150 ns |
Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, E |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | 1N5416 |
JANTXV1N5416US Einzelheiten PDF [English] | JANTXV1N5416US PDF - EN.pdf |
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
DIODE GEN PURP 50V 3A D-5B
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DIODE GEN PURP 200V 3A D-5B
DIODE GEN PURP 400V 3A
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW
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DIODE GEN PURP 100V 3A
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DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() JANTXV1N5416USMicrochip Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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