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Microchip Technology JAN1N5811US
| Artikelnummer: | JAN1N5811US |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 100+ | $8.295 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Microchip Technology JAN1N5811US Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments JAN1N5811US.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 875 mV @ 4 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 150 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse B, SQ-MELF Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/477 Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30 ns Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, B Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 150 V Strom - Richt (Io) 6A Kapazität @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz Grundproduktnummer 1N5811 JAN1N5811US Einzelheiten PDF [English] JAN1N5811US PDF - EN.pdf -
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