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Microchip Technology JAN1N5190
| Artikelnummer: | JAN1N5190 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 100+ | $11.325 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
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Microchip Technology JAN1N5190 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments JAN1N5190.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 9 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse B, Axial Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/420 Rückwärts-Erholzeit (Trr) 400 ns Verpackung / Gehäuse B, Axial Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 3A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer 1N5190 JAN1N5190 Einzelheiten PDF [English] JAN1N5190 PDF - EN.pdf -
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