APTM50H15FT1G
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APTM50H15FT1G |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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16+ | $65.03 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SP1 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 21A, 10V |
Leistung - max | 208W |
Verpackung / Gehäuse | SP1 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5448pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25A |
Konfiguration | 4 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | APTM50 |
APTM50H15FT1G Einzelheiten PDF [English] | APTM50H15FT1G PDF - EN.pdf |
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Zielpreis (USD)
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