APTM120U10DAG
Microsemi Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | APTM120U10DAG |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 1200V 160A SP6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SP6 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 58A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3290W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | SP6 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28900 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1100 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |
APTM120U10DAG Einzelheiten PDF [English] | APTM120U10DAG PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
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2024/06/6
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