APTM10HM19FT3G
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APTM10HM19FT3G |
---|---|
Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
14+ | $89.06 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SP3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 35A, 10V |
Leistung - max | 208W |
Verpackung / Gehäuse | SP3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A |
Konfiguration | 4 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | APTM10 |
APTM10HM19FT3G Einzelheiten PDF [English] | APTM10HM19FT3G PDF - EN.pdf |
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() APTM10HM19FT3GMicrochip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|