APTM100DA18CT1G
Microsemi Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | APTM100DA18CT1G |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SP1 |
Serie | POWER MOS 8™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 33A, 10V |
Verlustleistung (max) | 657W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | SP1 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14800 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 570 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
APTM100DA18CT1G Einzelheiten PDF [English] | APTM100DA18CT1G PDF - EN.pdf |
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