APTGT35H120T1G
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Microsemi Corporation APTGT35H120T1G
| Artikelnummer: | APTGT35H120T1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Microsemi Corporation APTGT35H120T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments APTGT35H120T1G.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A Supplier Device-Gehäuse SP1 Serie - Leistung - max 208 W Verpackung / Gehäuse SP1 Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor Yes Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 2.5 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Strom - Collector Cutoff (Max) 250 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 55 A Konfiguration Full Bridge Inverter APTGT35H120T1G Einzelheiten PDF [English] APTGT35H120T1G PDF - EN.pdf -
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