APT38F80B2
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APT38F80B2 |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $18.44 |
100+ | $15.9334 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ [B2] |
Serie | POWER MOS 8™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1040W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8070 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 41A (Tc) |
Grundproduktnummer | APT38F80 |
APT38F80B2 Einzelheiten PDF [English] | APT38F80B2 PDF - EN.pdf |
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