APT25GN120B2DQ2G
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APT25GN120B2DQ2G |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 67A 272W TMAX |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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60+ | $10.00 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
Testbedingung | 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 22ns/280ns |
Schaltenergie | 2.15µJ (off) |
Serie | - |
Leistung - max | 272 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
Gate-Ladung | 155 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 67 A |
Grundproduktnummer | APT25GN120 |
APT25GN120B2DQ2G Einzelheiten PDF [English] | APT25GN120B2DQ2G PDF - EN.pdf |
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![]() APT25GN120B2DQ2GMicrochip Technology |
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Zielpreis (USD)
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