APT200GN60B2G
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APT200GN60B2G |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 283A 682W TO247 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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30+ | $24.76 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
Testbedingung | 400V, 200A, 1Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 50ns/560ns |
Schaltenergie | 13mJ (on), 11mJ (off) |
Serie | - |
Leistung - max | 682 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Gate-Ladung | 1180 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 283 A |
Grundproduktnummer | APT200 |
APT200GN60B2G Einzelheiten PDF [English] | APT200GN60B2G PDF - EN.pdf |
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Zielpreis (USD)
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