APT15F60B
Microsemi Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | APT15F60B |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 16A TO247 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] |
Serie | POWER MOS 8™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 290W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2882 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Grundproduktnummer | APT15F60 |
APT15F60B Einzelheiten PDF [English] | APT15F60B PDF - EN.pdf |
DIODE GP 1.2KV 15A TO220
MOSFET N-CH 500V 15A TO220
IGBT 600V 56A 250W TO247
DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247
MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
DIODE GP 600V 15A TO220
DIODE GP 600V 15A TO247
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IGBT 1200V 45A 195W TO247
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() APT15F60BMicrosemi Corporation |
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Zielpreis (USD)
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