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Microsemi Corporation 2N6766T1
| Artikelnummer: | 2N6766T1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
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Microsemi Corporation 2N6766T1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 2N6766T1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-254AA Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 4W (Ta), 150W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 2N6766T1 Einzelheiten PDF [English] 2N6766T1 PDF - EN.pdf -
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