1N6622US
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | 1N6622US |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $8.76 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 1.2 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 660 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | A-MELF |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30 ns |
Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, A |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 500 nA @ 660 V |
Strom - Richt (Io) | 1.2A |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Grundproduktnummer | 1N6622 |
1N6622US Einzelheiten PDF [English] | 1N6622US PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 1N6622USMicrochip Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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