1N5619E3
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | 1N5619E3 |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A A AXIAL |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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174+ | $5.46 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | A, Axial |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
Verpackung / Gehäuse | A, Axial |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 200°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 500 µA @ 400 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 12V, 1MHz |
1N5619E3 Einzelheiten PDF [English] | 1N5619E3 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL TR
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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