MT58L512L18DT-7.5
Micron Technology Inc.
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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36+ | $8.53 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 3.135V ~ 3.6V |
Technologie | SRAM - Standard |
Supplier Device-Gehäuse | 100-TQFP (14x20.1) |
Serie | SYNCBURST™ |
Verpackung / Gehäuse | 100-LQFP |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 8Mbit |
Speicherorganisation | 512K x 18 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Uhrfrequenz | 133 MHz |
Zugriffszeit | 4 ns |
MT58L512L18DT-7.5 Einzelheiten PDF [English] | MT58L512L18DT-7.5 PDF - EN.pdf |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
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MT58L512L18DT-7.5A MICRON
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MICRON QFP100
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MT58L512L18DT-7.5Micron Technology Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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