MMBT5551-F2-0000HF
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.21 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 160 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23 |
Leistung - max | 300 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 300MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 600 mA |
TRANS NPN 160V 0.6A SMD SOT23-3
SOT-23
SOT
SEMITEL ELECTRONICS SOT-23
CJ SOT-23
SOT-23
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
MMBT5551DW1T1G ON
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
MMBT5551DW KF
MMBT5551G-B-AE3-R UTC
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
MMBT5551 G1 Original
CJ SOT23
FSC SOT23
BJT, SOT-23, 160V, 600mA, 0, Aut
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
SOT-23
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MMBT5551-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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