MCH3427-TL-E
onsemi
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1902+ | $0.16 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 3-MCPH |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 2A, 4V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 3-SMD, Flat Leads |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
MCH3427-TL-E Einzelheiten PDF [English] | MCH3427-TL-E PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MCH3427-TL-Eonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|