Name: TPS1101DRG4
SKU: TPS1101DRG4
Price: 1.0759 USD
Availability: InStock
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N/A TPS1101DRG4

Artikelnummer:

TPS1101DRG4

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Datenblätte:

None

RoHs Status:

Bleifrei / RoHS-konform

ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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Verpackung

~~N/A TPS1101DRG4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments TPS1101DRG4.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	+2V, -15V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	791mW (Ta)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.25nC @ 10V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	15V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.3A (Ta)
TPS1101DRG4 Einzelheiten PDF [English]	TPS1101DRG4 PDF - EN.pdf

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