Name: CSD87335Q3D
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CSD87335Q3D

Artikelnummer:

CSD87335Q3D

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 30V 8LSON

Datenblätte:

1.CSD87335Q3D.pdf ···: PCN -Baugruppe/Herkunft
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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~CSD87335Q3D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD87335Q3D.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-LSON (3.3x3.3)
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Leistung - max	6W
Verpackung / Gehäuse	8-PowerLDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-
Konfiguration	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Grundproduktnummer	CSD87335Q3
CSD87335Q3D Einzelheiten PDF [English]	CSD87335Q3D PDF - EN.pdf

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