Name: CSD19532KTTT
SKU: CSD19532KTTT
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N/A CSD19532KTTT

Artikelnummer:

CSD19532KTTT

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

Datenblätte:

None

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ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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~~N/A CSD19532KTTT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD19532KTTT.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	DDPAK/TO-263-3
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (max)	250W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5060 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200A (Ta)
Grundproduktnummer	CSD19532
CSD19532KTTT Einzelheiten PDF [English]	CSD19532KTTT PDF - EN.pdf

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