Name: CSD13302W
SKU: CSD13302W
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N/A CSD13302W

Artikelnummer:

CSD13302W

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

Datenblätte:

1.CSD13302W.pdf ···: PCN -Design/Spezifikation
DSBGA/uSIP 22/Jun/2016.pdf DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf

PCN -Verpackung
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf

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~~N/A CSD13302W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD13302W.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	4-DSBGA (1x1)
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.8W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	4-UFBGA, DSBGA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	862 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.6A (Ta)
Grundproduktnummer	CSD13302
CSD13302W Einzelheiten PDF [English]	CSD13302W PDF - EN.pdf

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