VT6M1T2CR
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | VT6M1T2CR |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.41 |
10+ | $0.302 |
100+ | $0.1712 |
500+ | $0.1134 |
1000+ | $0.0869 |
2000+ | $0.0756 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | VMT6 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V |
Leistung - max | 120mW |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7.1pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET-Merkmal | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100mA |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | VT6M1 |
VT6M1T2CR Einzelheiten PDF [English] | VT6M1T2CR PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() VT6M1T2CRRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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