SCT2750NYTB
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | SCT2750NYTB |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $6.99 |
10+ | $6.312 |
100+ | $5.2257 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-268 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 975mOhm @ 1.7A, 18V |
Verlustleistung (max) | 57W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 800 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 18 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.9A (Tc) |
Grundproduktnummer | SCT2750 |
SCT2750NYTB Einzelheiten PDF [English] | SCT2750NYTB PDF - EN.pdf |
CMC 2.26MH 8A 2LN TH AEC-Q200
CMC 3MH 7A 2LN TH AEC-Q200
CMC 6.47MH 5A 2LN TH AEC-Q200
CMC 72UH 35A 2LN TH AEC-Q200
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CMC 4.33MH 6A 2LN TH AEC-Q200
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CMC 3MH 7A 2LN TH AEC-Q200
CMC 2.26MH 8A 2LN TH AEC-Q200
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SCT2750NYTBRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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