RS3E095BNGZETB
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RS3E095BNGZETB |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.88 |
10+ | $0.784 |
100+ | $0.611 |
500+ | $0.5047 |
1000+ | $0.3985 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.6mOhm @ 9.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A (Ta) |
Grundproduktnummer | RS3E |
RS3E095BNGZETB Einzelheiten PDF [English] | RS3E095BNGZETB PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS3E095BNGZETBRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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