RS1G300GNTB
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RS1G300GNTB |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.10 |
10+ | $1.889 |
100+ | $1.5186 |
500+ | $1.2477 |
1000+ | $1.0338 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-HSOP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 35W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4230 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56.8 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta) |
Grundproduktnummer | RS1G |
RS1G300GNTB Einzelheiten PDF [English] | RS1G300GNTB PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
ROHM DFN5X6
DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
RS1G300GN ROHM
DIODE GENERAL PURPOSE SMB
RS1G260MN ROHM
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1G300GNTBRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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