RFN10BM3STL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RFN10BM3STL |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 350V 10A TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.30 |
10+ | $1.164 |
100+ | $0.9073 |
500+ | $0.7495 |
1000+ | $0.5917 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 350 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252 |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 350 V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | RFN10 |
RFN10BM3STL Einzelheiten PDF [English] | RFN10BM3STL PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
N Male; Low PIM
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
N MALE-N MALE; R/A
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
ROHM TO-252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RFN10BM3STLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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