R6020ANZC8
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | R6020ANZC8 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.15V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3PF |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 120W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
R6020ANZC8 Einzelheiten PDF [English] | R6020ANZC8 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
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MOSFET N-CH 600V 20A TO247
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
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600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
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ROHM TO-220FM
R6020ANZFU7C8 ROHM
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() R6020ANZC8Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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