EMD2T2R
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | EMD2T2R |
---|---|
Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.39 |
10+ | $0.32 |
100+ | $0.2175 |
500+ | $0.1632 |
1000+ | $0.1224 |
2000+ | $0.1122 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 22kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 56 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Grundproduktnummer | EMD2T2 |
EMD2T2R Einzelheiten PDF [English] | EMD2T2R PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EMD2T2RRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|