LA733P
onsemi
Deutsch
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 48V |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92 (TO-226) |
Serie | - |
Leistung - max | 625mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Frequenz - Übergang | 450MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 1mA, 6V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
LA733P Einzelheiten PDF [English] | LA733P PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() LA733Ponsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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