JANTX1N5806US/TR
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | JANTX1N5806US/TR |
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Hersteller / Marke: | Microchip Technology |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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106+ | $7.485 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 975 mV @ 2.5 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 150 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | D-5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 25 ns |
Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, A |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 150 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Grundproduktnummer | 1N5806 |
JANTX1N5806US/TR Einzelheiten PDF [English] | JANTX1N5806US/TR PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 150V 1A
DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 50V 3A
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 150V 1A A-MELF
DIODE GEN PURP 100V 3A
DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A
UFR,FRR
DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
D MET 2.5A SFST 150V HR 2FFT
DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A
UFR,FRR
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
UFR,FRR
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF
D MET 2.5A SFST 150V HR 2FFT
UFR,FRR
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() JANTX1N5806US/TRMicrochip Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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