BSZ0602LSATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSZ0602LSATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.79 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8 FL |
Serie | OptiMOS™ 5 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 69W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 40A (Tc) |
Grundproduktnummer | BSZ0602 |
BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Infineon QFN8
MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
INFINEON QFN
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
INFINEON DFN-83.33.3
BSZ065N03LSG INFINEO
BSZ058N03MSG QFN8 INFINEON
BSZ058N03MS G INFINEON
BSZ060NE2L INFINEON
INFINEON TSDSON-8
MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
BSZ060NE2LS Infineon Technologies
BSZ065N03LS Infineon Technologies
INFINEON TSDSON-8
INFINEON TDFN-8
ON PQFN3X3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSZ0602LSATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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