Name: Infineon Technologies SPU30N03S2-08
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPU30N03S2-08
Availability: InStock
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Infineon Technologies SPU30N03S2-08

Artikelnummer:

SPU30N03S2-08

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies SPU30N03S2-08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SPU30N03S2-08.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 85µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	P-TO251-3-1
Serie	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)
Grundproduktnummer	SPU30N
SPU30N03S2-08 Einzelheiten PDF [English]	SPU30N03S2-08 PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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