SPI10N10L
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | SPI10N10L |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO262-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 21µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3-1 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 154mOhm @ 8.1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 444 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.3A (Tc) |
Grundproduktnummer | SPI10N |
SPI10N10L Einzelheiten PDF [English] | SPI10N10L PDF - EN.pdf |
SPI11N60C5 INFINEON
SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
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SPI11N60C2 INFINEON
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SPI11N65C3 INF
SPI11N60CFD INFINEON
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MOSFET N-CH 30V 100A TO262-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SPI10N10LInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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