SIDC24D30SIC3
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies SIDC24D30SIC3
| Artikelnummer: | SIDC24D30SIC3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 300V 10A WAFER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies SIDC24D30SIC3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIDC24D30SIC3.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 300 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse Sawn on foil Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Verpackung / Gehäuse Die Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 300 V Strom - Richt (Io) 10A Kapazität @ Vr, F 600pF @ 1V, 1MHz Grundproduktnummer SIDC24D SIDC24D30SIC3 Einzelheiten PDF [English] SIDC24D30SIC3 PDF - EN.pdf -
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