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Infineon Technologies SIDC06D120E6
| Artikelnummer: | SIDC06D120E6 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Infineon Technologies SIDC06D120E6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIDC06D120E6.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 5A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200V (1.2kV) Supplier Device-Gehäuse Sawn on foil Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse Die Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Diodentyp Standard Strom - Sperrleckstrom @ Vr 27µA @ 1200V Strom - Richt (Io) 5A (DC) Kapazität @ Vr, F - SIDC06D120E6 Einzelheiten PDF [English] SIDC06D120E6 PDF - EN.pdf -
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