IRFL4105PBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRFL4105PBF |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-223 |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.7A (Ta) |
IRFL4105PBF Einzelheiten PDF [English] | IRFL4105PBF PDF - EN.pdf |
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INFINEON SOT223
IR SOT-223
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2024/06/6
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2023/12/20
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