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Infineon Technologies IRFB4615PBF
| Artikelnummer: | IRFB4615PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.01 |
| 10+ | $1.806 |
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| 1000+ | $0.9881 |
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| 10000+ | $0.8632 |
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Infineon Technologies IRFB4615PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFB4615PBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 21A, 10V Verlustleistung (max) 144W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) Grundproduktnummer IRFB4615 IRFB4615PBF Einzelheiten PDF [English] IRFB4615PBF PDF - EN.pdf -
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