IRF6712STR1PBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRF6712STR1PBF |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ SQ |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 17A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric SQ |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 13 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Ta), 68A (Tc) |
IRF6712STR1PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF6712STR1PBF PDF - EN.pdf |
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